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Ultra Thick Ceramic Laser Cut 12mm SiC

레이져로 두꺼운 세라믹 소재를 절단하는 것은 매우 어려운 과정중 하나입니다. 두께 12mm SiC소재를 Water Laser를 이용하여 절단 테스트를 하였습니다. 절단속도가 늦습니다. 약 2~3mm/min 정도입니다. 물론 소재의 특성에 따라서 절단 속도 cut speed는 변할 수 있습니다. 일반적으로 광투과도가 좋거나, 밀도가 높으면 절단 속도가 떨어지는 경향이 있습니다. 절단된 표면 cutted surface roughness는 매우 좋습니다. 일반적인 레이져로는 얻을 수 없는 표면 상태이지요. 특히 상하 kerf width차… 더보기

PCD PCBN 소재 레이져 절단 챔퍼 모따기

다이아몬드 공구에서 레이져를 이용한 혁신적 개념의 공정을 소개드립니다. PCD PCBN Solid CBN등을 공구에 이용하기 위해서는 소재절단후 절단팁(tip)(절단품)의 초경층을 챔퍼 모따기를 해야 합니다. 샹크에 절단팁을 브레이징 할 때 초경층 모서리가 샹크와 간섭이 발생합니다. 이 문제점을 해결하기 위해서 매우 작은 사이즈의 팁을 사람이 한개씩 수작업으로 초경부를 모따기 합니다. 참으로 인내력이 필요한 부분입니다. 연마중 분진도 많이 발생하고... 노안이라도 있는 사람들은 더 어렵죠. 손이 큰 사람도 어렵고...물론 비용도 발… 더보기

Diamond Blade vs Pico/Femto laser vs Water Laser의 웨이퍼 다이싱 wa…

Diamond Blade vs Pico/Femto laser vs Water Laser의 웨이퍼 다이싱 wafer dicing비교를 하였습니다 스카이다이아의 경험에 의한 비교입니다. Diamond Blade는 이미 많은 분들이 알고 있는 영역입니다. 단지 경도 hardness가 높은 wafer에 대한 경험들은 매우 적습니다. 장비 가격이 저렴해서 테스용정도로 적용은 가능할 수 있지만 SiC wafer에 적용하기에는 아주 적합한 Dicing장비와 기술이 필요합니다. 아직 국내에는 기술적으로 Dicing이 set-up된 업체가 거의 없… 더보기

파워반도체, RF소자 SiC 패턴 웨이퍼 미세홀 가공 micro hole drill

일반적으로 wafer상태에서 micro hole drilling 미세홀 가공후 디바이스 device공정 Front-End공정 을 하지만 어쩔수 없이 End공정후 미세홀 micro hole drilling이 필요할 경우를 가정하여 레이져를 이용하여 미세홀 가공을 하였습니다. SiC wafer : 100micon thickness finished GaN litho,deposition,etching,metallization,etc Laser : Wafer Laser Synova 50micron nozzle Size 자료에서처럼 laser… 더보기

RF device,Power device 세라믹 방열기판 ceramic heat sink,spread

RF Device용 세라믹 소자 Ceramic substrate에 대한 시장자료를 아직 확인 못 했습니다. 전력반도체 power반도체 power device의 모듈의 시장은 6억$정도라고 합니다 전력반도체 모듈시장의 10%정도가 되는 것 같습니다. ceramic substrate로 사용하는 주요 재료는 알루미나 Alumina Al2O3, AlN, 질화규소 Si3N4등이 있습니다. 가격이 저렴하여 아직은 Al2O3 alumina를 많이 사용하고 있지만 점차 AlN, Si3N4 소재의 용도가 증가할 것 같습니다. 아쉽게도 이것들도 주로… 더보기

CFRP 재료 레이져 가공

내외장재로 많은 곳에 쓰이고 있는 CFRP. 점점 용도가 많아지면서 경화된이후 Drilling 이나 패턴가공이 필요한일도 많아지고있습니다. 그래서 CFRP 가공테스트를 해보있습니다. working Material : CFRP 1.0t (드론용 카본판재) C content : 60vol% density : 1.5g/cm3 3k glassy surface carbon 0/90 : 50/50 결과는 곧 사진으로 올릴 예정입니다~

티타늄 Titanium 레이져 가공 Ti Laser Working

경도도 높고 단단하면서 화학적 반응성이 없으면서도 가벼운 티타늄.... 재료의 특성은 좋지만 가공에서는 아주 힘들게 하는 놈이죠? 절삭가공에서 어떤 공구가 적합한가? 하는 논쟁이 아직도 있을 만큼 티타늄 가공이 어렵습니다 가공시 DOC(depth of cut) 마모가 특히 발생하기 쉽고, 열확산성이 좋지 않아서 불필요한 공구 마모도 많이 발생합니다. 초경, tungsten Carbide(TC) tool이 적합할까요? 내마모성이 낮지만 가격이 저렴하여...? PCD, diamond tool이 적합할까요? 인성이 약해서,,, 가격에 비… 더보기

파워 디바이스,전력용 반도체에서의 레이져 활용(Power devices, SiC dicing, Ceramic…

파워 디바이스,전력용 반도체에서 레이져의 활용을 정리했습니다. 가장 큰 활용은 SiC wafer의 다이싱 Dicing 입니다 고경도 소재인 SiCwafer dicing 웨이퍼 다이싱을 Diamond Blade를 이용하기는 어려움이 많습니다. 세라믹을 Diamond Blade로 다이싱 dicing 해본 경험이 있는 분들은 SiC Dicing도 Diamond Blade를 이용하여 다이싱하면 될 것이라고 생각할 수도 있습니다. SiC wafer Dicing을 Diamond blade를 이용하여 한번 해보시면 레이져의 필요성에 대해서 더 … 더보기

소재가공에서의 레이져 가공의 잇점

다이아몬드 소결체인 PCD, 입방정질화붕소 cBN 소결체인 PCBN은 일반적으로 wire EDM을 이용하여 절단을 합니다. 일반 레이져로 쉽게 절단은 됩니다 Nd:YAG laser를 이용하면 일반적인 wire EDM 절단 속도보다 5배~10배정도 빠르게 가공할 수 있습니다 HAZ영역도 30%이하로 줄일 수 있고, 절단띠에 의한 번거로움도 없습니다. YAG Laser가 이렇게 좋지만 가장 치명적인 문제가 있습니다. 절단면의 초경면에 slug등이 부착되어 있고, laser beam forcus angle에 의한 taper가 발생합니다.… 더보기

단차가 없는 레이져 미세홀 micro drilling 가공( Via hole )

레이져의 용도중 큰 분야가 미세홀 가공입니다. 특히 세라믹이나 단결정 웨이퍼등에서 0.5mm이하가 되면 가공에 어려움이 발생할 수 있습니다. 경우에 따라서 초음파(ultra sonic)를 이용한 가공이나 샌드블라스팅(sand blasting)을 이용할 수 있습니다. 레이져 미세홀 가공에서 최소 가공 가능 능력은 재료의 종류나 두께에 따라서 민감하게 반응합니다. AlN,알루미늄나이트라이드,Aluminanitride 소재을 이용하여 미세홀 micro drilling가공을 하였습니다. 사용장비 : Synova LCS150 사용조건 : 5… 더보기
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