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RF device,Power device 세라믹 방열기판 ceramic heat sink,spread

RF Device용 세라믹 소자 Ceramic substrate에 대한 시장자료를 아직 확인 못 했습니다. 전력반도체 power반도체 power device의 모듈의 시장은 6억$정도라고 합니다 전력반도체 모듈시장의 10%정도가 되는 것 같습니다. ceramic substrate로 사용하는 주요 재료는 알루미나 Alumina Al2O3, AlN, 질화규소 Si3N4등이 있습니다. 가격이 저렴하여 아직은 Al2O3 alumina를 많이 사용하고 있지만 점차 AlN, Si3N4 소재의 용도가 증가할 것 같습니다. 아쉽게도 이것들도 주로… 더보기

CFRP 재료 레이져 가공

내외장재로 많은 곳에 쓰이고 있는 CFRP. 점점 용도가 많아지면서 경화된이후 Drilling 이나 패턴가공이 필요한일도 많아지고있습니다. 그래서 CFRP 가공테스트를 해보있습니다. working Material : CFRP 1.0t (드론용 카본판재) C content : 60vol% density : 1.5g/cm3 3k glassy surface carbon 0/90 : 50/50 결과는 곧 사진으로 올릴 예정입니다~

티타늄 Titanium 레이져 가공 Ti Laser Working

경도도 높고 단단하면서 화학적 반응성이 없으면서도 가벼운 티타늄.... 재료의 특성은 좋지만 가공에서는 아주 힘들게 하는 놈이죠? 절삭가공에서 어떤 공구가 적합한가? 하는 논쟁이 아직도 있을 만큼 티타늄 가공이 어렵습니다 가공시 DOC(depth of cut) 마모가 특히 발생하기 쉽고, 열확산성이 좋지 않아서 불필요한 공구 마모도 많이 발생합니다. 초경, tungsten Carbide(TC) tool이 적합할까요? 내마모성이 낮지만 가격이 저렴하여...? PCD, diamond tool이 적합할까요? 인성이 약해서,,, 가격에 비… 더보기

파워 디바이스,전력용 반도체에서의 레이져 활용(Power devices, SiC dicing, Ceramic…

파워 디바이스,전력용 반도체에서 레이져의 활용을 정리했습니다. 가장 큰 활용은 SiC wafer의 다이싱 Dicing 입니다 고경도 소재인 SiCwafer dicing 웨이퍼 다이싱을 Diamond Blade를 이용하기는 어려움이 많습니다. 세라믹을 Diamond Blade로 다이싱 dicing 해본 경험이 있는 분들은 SiC Dicing도 Diamond Blade를 이용하여 다이싱하면 될 것이라고 생각할 수도 있습니다. SiC wafer Dicing을 Diamond blade를 이용하여 한번 해보시면 레이져의 필요성에 대해서 더 … 더보기

소재가공에서의 레이져 가공의 잇점

다이아몬드 소결체인 PCD, 입방정질화붕소 cBN 소결체인 PCBN은 일반적으로 wire EDM을 이용하여 절단을 합니다. 일반 레이져로 쉽게 절단은 됩니다 Nd:YAG laser를 이용하면 일반적인 wire EDM 절단 속도보다 5배~10배정도 빠르게 가공할 수 있습니다 HAZ영역도 30%이하로 줄일 수 있고, 절단띠에 의한 번거로움도 없습니다. YAG Laser가 이렇게 좋지만 가장 치명적인 문제가 있습니다. 절단면의 초경면에 slug등이 부착되어 있고, laser beam forcus angle에 의한 taper가 발생합니다.… 더보기

단차가 없는 레이져 미세홀 micro drilling 가공( Via hole )

레이져의 용도중 큰 분야가 미세홀 가공입니다. 특히 세라믹이나 단결정 웨이퍼등에서 0.5mm이하가 되면 가공에 어려움이 발생할 수 있습니다. 경우에 따라서 초음파(ultra sonic)를 이용한 가공이나 샌드블라스팅(sand blasting)을 이용할 수 있습니다. 레이져 미세홀 가공에서 최소 가공 가능 능력은 재료의 종류나 두께에 따라서 민감하게 반응합니다. AlN,알루미늄나이트라이드,Aluminanitride 소재을 이용하여 미세홀 micro drilling가공을 하였습니다. 사용장비 : Synova LCS150 사용조건 : 5… 더보기

SiC wafer 다량으로 확보

레이져 Dicing,Sawing,Grooving,Trimming,DownSizing,Drilling,etc 테스트를 위해서 과감(?)하게 SiC wafer를 구입하였습니다. 웨이퍼 샘플을 조금씩 확보해서 테스트를 진행하려니 집중력이 저하되어, 다양한 종류의 SiC wafer, 실리콘카바이드 웨이퍼를 다량 준비했습니다. SiC wafer 후공정에서 레이져 이외에 해결책이 없다고 확신합니다. 이 제품들은 정품들입니다 혹시 SiC wafer 샘플이 필요한 분이 있으면 연락주세요. 4inch 웨이퍼 단위는 아니더라도 일부 절단하여 무상으로… 더보기

SiC wafer 불순물

아래 사진처럼 불순물이 전체적으로 분포하면 SiC wafer down size는 어렵습니다. 아래사진처럼 테두리 부분에 불순물이 집중된 경우라면 테두리를 Trimming하거나 wafer down size후에 사용이 가능합니다.

SiC wafer trimming, down sizing

SiC ingot을 잘 성장시키기가 어렵습니다. 높은 온도와 늦은 성장 속도 때문에 불순물이 쉽게 포집(?) 된다고 합니다. 그래서 비싼~~ SiC을 아끼기 위해서 Trimming이나 Down Sizing을 합니다. 불순물이 없는 부분만 사용하기 위해서 입니다. Laser Trimming후 Edge Grinding을 추가로 실시할 제품이어서 IR 1064nm을 사용하여 제작했습니다 특별한 어려움은 없었으나 결정방향에 따라서 레이져빔의 2차 반사(reflection)이 발생할 가능성도 있겠습니다. 1. 6inch SiC wafer ,… 더보기

PCD Micro Drill을 레이져로 가공한다

PCD Micro Drill가공 사진입니다. 아직 성공하지 못했습니다. 그래도 자료 정리해서 올리겠습니다
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